温度可変反り検査装置 HVIシリーズ
小型温度可変反り検査装置 HVI-8000C-RC/EC

従来機種HVI-8000-RC/ECの基本性能はそのままに、大幅に小型化・低価格化を実現。加熱炉のサイズ以外は、同社従来機種と同等以上の性能を保ちながら、1/4レベルまで小型化、大幅に低価格化しご提案します。
検査項目/応用例
基板実装シミュレーション用、基板R&D向け、基板材料開発、カメラモジュール開発
自動車用途環境試験用
特長
多様な温度環境下での高温反り計測 (Thermal Warpage Inspection, Warpage Measurement, Reflow Warpage Simulation)
従来機種HVI-8000-RC/EC同様、一般的な反り検査装置で必要とされるバンプ除去やスプレー処理などの前処理が必要なく、バンプや実装パーツ付き状態でリフロー温度や加熱時の反り検査を行うことが可能です。ワークサイズは100x100mmまで対応、3℃/秒で加熱可能な高速対流加熱機を装備。
仕様
HVI-8000C-RC | HVI-8000C-EC | |
---|---|---|
主な用途 | Reflow simulation | Environmental test |
主な測定項目 | Substrate Warpage | Substrate Warpage |
Bump Height | Bump Height | |
Bump Coplanarity | Bump Coplanarity | |
有効視野領域 | 12.8mm×12.8mm | 12.8mm×12.8mm |
Z計測範囲 | Max. 4mm | Max. 4mm |
XY分解能 | 8.0μm | 8.0μm |
Z分解能 | 0.1μm | 0.1μm |
加熱温度 | Room temperature ~ 300℃ | -55℃ ~ 260℃ (Target) |
加熱速度 | 3℃/s or more | 3℃/s or more |
計測繰返精度(反り) | 3σ ≦ 2μm | 3σ ≦ 2μm |
計測繰返精度(高さ) | 3σ ave. ≦ 1.5μm | 3σ ave. ≦ 1.5μm |
装置サイズ | (W) 850mm×(D) 1,240mm×(H) 1,240mm | (W) 850mm×(D) 1,240mm×(H) 1,240mm |
温度可反り検査装置 HVI-8000-RC/EC

HVIシリーズは温度制御プロファイルを作成し、専用のトレイに載せられた基板を多様な温度環境下で、高速・高精度に基板反り計測が可能です。 基板反りとともに、バンプ/ボール/LGAの高さや、その平坦度も同時に計測することができます。また、バンプ形状はラウンド、フラッタニングどちらも計測可能です。
検査項目/応用例
基板実装シミュレーション用、基板R&D向け、基板材料開発、カメラモジュール開発
自動車用途環境試験用
特長
多様な温度環境下での反り計測 (Thermal Warpage Inspection, Warpage Measurement, Reflow Warpage Simulation)
当社の装置では、一般的な反り検査装置で必要とされるバンプ除去やスプレー処理などの前処理が必要なく、バンプや実装パーツ付き状態でリフロー温度や加熱時の反り検査を行うことが可能です。基板の反り変化とともに、バンプの挙動も確認することができます。より実際のリフロープロセスや環境試験プロセスに近い状態で計測が可能です。温度設定は-55度から最大300度まで最大64ステップまで設定できます。ワークサイズはA4サイズまで対応可能。
仕様
HVI-8000-RC | HVI-8000-EC | |
---|---|---|
主な用途 | Reflow simulation | Environmental test |
主な測定項目 | Substrate Warpage | Substrate Warpage |
Bump Height | Bump Height | |
Bump Coplanarity | Bump Coplanarity | |
有効視野領域 | 13.0mm×13.0mm | 13.0mm×13.0mm |
Z計測範囲 | Max. 4mm | Max. 4mm |
XY分解能 | 8.0μm | 8.0μm |
Z分解能 | 0.1μm | 0.1μm |
加熱温度 | Room temperature ~ 300℃ | -55℃ ~ 260℃ (Target) |
加熱速度 | 2℃/sec | 25℃ → 220℃ Within 10 minutes |
冷却速度 | - | 25℃ → -220℃ Within 7 minutes |
計測繰返精度(反り) | 3σ ≦ 2μm | 3σ ≦ 2μm |
計測繰返精度(高さ) | 3σ ave. ≦ 1.5μm | 3σ ave. ≦ 1.5μm |
装置サイズ | (W)2000mm×(D)2,015mm×(H)1,800mm | (W)2000mm×(D)2,015mm×(H)1,800mm |