光応用検査装置ウェーハマイクロバンプ検査装置
WVI-S8530は200mm/300mmウェーハ対応マイクロバンプ検査の最上位マシンです。 業界最高クラスの高速・高精度検査を実現し、最高のコストパフォーマンスをご提供します。
特長
バンプ径20μmクラスのウェーハマイクロバンプ検査を、高速かつ業界最高精度での検査を実現する検査装置です。
製品説明
定格仕様表
主な測定項目 | Bump Height Bump Coplanarity Bump Diameter |
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有効視野領域 | 6.0mm×6.0mm |
処理速度 | 4WPH for 300mm size wafer |
Z計測範囲 | 88μm |
XY分解能 | 2.5μm |
バンプ径 | ≧20μm |
バンプピッチ | ≧40μm |
計測繰返精度(高さ) | 3σ ave. ≦ 0.2μm |
装置サイズ | TBA |
検査項目/応用例
MPUサブストレートなどの個片基板のFlip Chip C4バンプ、個片基板などのバンプ高さ、基板反り、コプラナリティ検査
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