光応用検査装置

ウェーハマイクロバンプ検査装置

WVI-S8530は200mm/300mmウェーハ対応マイクロバンプ検査の最上位マシンです。 業界最高クラスの高速・高精度検査を実現し、最高のコストパフォーマンスをご提供します。

検査項目/応用例

ウェーハ上のマイクロバンプ高さ、バンプコプラナリティ、バンプ位置ずれ、バンプ有無検査など

特長

バンプ径20μmクラスのウェーハマイクロバンプ検査を、高速かつ業界最高精度での検査を実現する検査装置です。

仕様

主な測定項目 Bump Height
Bump Coplanarity
Bump Diameter
有効視野領域 6.0mm×6.0mm
処理速度 4WPH for 300mm size wafer
Z計測範囲 88μm
XY分解能 2.5μm
バンプ径 ≧20μm
バンプピッチ ≧40μm
計測繰返精度(高さ) 3σ ave. ≦ 0.2μm
装置サイズ TBA