光応用検査装置ウェーハバンプ検査装置 WVI-S10330-RA
WVI-S10330-RAはICパッケージ基板バンプ計測で培った計測技術により、300mmサイズウェーハのバンプ計測を高速・高精度に実現する検査装置です。
特長
バンプ径12µmクラスのウェーハバンプ検査を、高速かつ高精度での検査を実現する検査装置です。
製品説明
定格仕様表
| 検査項目 | バンプ高さ、TTV、STV、チップ反り、コプラナリティ、バンプ径、バンプ位置、ミッシングバンプなど |
|---|---|
| 有効視野領域 | 約13.0mm×13.0mm |
| 検査時間 | 10WPH（条件に拠る） |
| Z高さ計測範囲 | 最大300μm |
| XY分解能 | 約1.6μm |
| バンプ径（SRO） | Φ7.5μm～（注1） |
| バンプ間ピッチ | 15μm～（注1） |
| バンプ検査繰り返し精度 | 3σ AVE ≦ 0.15μm *諸条件有 |
| 検査装置サイズ | (W)2,102mm×(D)2,919mm×(H)2,250mm （突起物含まない） |
注1：ターゲットサイズです。事前検証が必要となります。
*諸条件：当社標準サンプル（バンプ径20μm、バンプピッチ40μm）
検査項目/応用例
バンプ高さ、TTV、STV、チップ反り、コプラナリティ、バンプ径、バンプ位置、ミッシングバンプなど
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